南京大学教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者、长江学者特聘教授、创新领军人才、国家重点研发计划项目首席科学家。分别于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学开展1年博士后研究工作后，于2004年受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年9月归国任教于南京大学物理系及银河galaxy娱乐游戏中心，现任南京大学特聘教授。

主要从事宽禁带半导体材料与器件研究，是国际上富In氮化物半导体研究的开拓者；在InN薄膜生长、电学特性、和p型掺杂等方面创造并长期保持世界纪录，其工作直接导致了InN 0.7电子伏特窄禁带特性的重大发现，大大拓展了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，多次获《Nature》杂志专文报道；联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构。近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究，致力于将半导体基础研究成果推广到器件应用领域：研制出高击穿电压GaN肖特基二极管和HEMT器件、高辐照耐量x射线探测器和紫外单光子探测器，多次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道；研制出现有暗电流密度最低的AlGaN基日盲深紫外探测器和国内第一支极深紫外EUV探测器，并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度紫外探测器的产业化；研究和澄清了GaN基功率器件和发光二极管的几个基础器件物理问题，发展了多种新型的器件表征分析方法。

迄今已发表学术论文400余篇，其中包括SCI论文300余篇；所发表文章获SCI他人引用15000余篇次，成果多次刷新世界纪录并被写入科研参考书；已获得25件中国发明专利和1项美国发明专利授权，在审专利超过30件。曾入选科技部创新人才推进计划、教育部新世纪人才计划、江苏省333人才培养计划；曾获江苏省五四青年奖章（2013）、江苏省十大青年科技之星（2014）、教育部技术发明一等奖（2015）、国家技术发明二等奖（2016）。

课题组（http://iiiv.nju.edu.cn）每年招收4-5名博士/硕士研究生,欢迎有物理、电子、材料及电路背景的同学加盟本课题组；本课题组还热忱欢迎有相关研究经验的博士后加盟。

1. GaN基高功率电子器件与电路；2.宽禁带半导体紫外探测器； 3.新型氧化物透明薄膜晶体管与电路；4.宽禁带半导体x射线及高能粒子探测器

本科生：微电子工艺

1.       Z. Y. Wang, D. Zhou, W. Z. Xu, D. F. Pan, F. F. Ren, D. J. Chen, R. Zhang, Y. D. Zheng, H. Lu “High-Performance 4H-SiC Schottky Photodiode With Semitransparent Grid-Electrode for EUV Detection” IEEE Photonics Technology Letters 32(13) : 791-794 (2020)

2.       H. Dong, H. Zhang, L. L. Su, D. Zhou, W. Z. Xu, F. F. Ren, D. J. Chen, R. Zhang, Y. D. Zheng, H. Lu “After-Pulse Characterizations of Geiger-Mode 4H-SiC Avalanche Photodiodes” IEEE Photonics Technology Letters 32(12) : 706-709 (2020)

3.       K. W. Nie, W. Z. Xu, F. F. Ren, D. Zhou, D. F. Pan, J. D. Ye, D. J. Chen, R. Zhang, Y. D. Zheng, H. Lu “Highly Enhanced Inductive Current Sustaining Capability and Avalanche Ruggedness in GaN p-i-n Diodes With Shallow Bevel Termination” IEEE Electron Device Letters 41 (3): 469-472 (2020)    

4.       Q. Liu, D. Zhou, X. Cai, M. Qi, W. Xu, D. Chen, F. F. Ren, R. Zhang, Y. D. Zheng, H. Lu “Effect of very high-fluence proton radiation on 6H-SiC photoconductive proton detectors” IEEE Electron Device Letters 40 (12): 1929 (2019)   

5.       W.-Z. Xu, Y.-T. Shi, F.-F. Ren, D. Zhou, L.L. Su, Q. Liu, L. Cheng, J. Ye, D. J. Chen, R. Zhang, Y. Zheng, H. Lu “Magnesium ion-implantation-based gallium nitride p-i-n photodiode for visible-blind ultraviolet detection” Photonics Research 7(8): B48-B54 (2019)

6.       L. L. Su, X. L. Cai, H. Lu, D. Zhou, W.Z. Xu, D.J. Chen, F.F. Ren, R. Zhang, Y.D. Zheng, G.L. Li, “Spatial Non-Uniform Hot Carrier Luminescence From 4H-SiC p-i-n Avalanche Photodiodes” IEEE Photonics Technology Letters 31(6): 447– 450 (2019)

7.       X. L. Cai, L. H. Li, H. Lu, D. Zhou, W. Z. Xu, D. J. Chen, F. F. Ren, R. Zhang, Y. D. Zheng, and G. L. Li, “Vertical 4H-SiC n-i-p-n APDs with partial trench isolation”, IEEE Photonics Technology Letters 30 (9): 805-808 (2018)  

8.       W.-Z. Xu, Y.-T. Shi, F.-F. Ren, J. D. Ye, I. V. Shadrivov, H. Lu, L. J. Liang, X. P. Hu, B. B. Jin, R. Zhang, Y. D. Zheng, H. H. Tan, and C. Jagadish, “A terahertz controlled-NOT gate based on asymmetric rotation of polarization in chiral metamaterials” Advanced Optical Materials, 5 (18): 1700108 (2017)  

9.       S. Yang, D. Zhou, X. Cai, W. Xu, H. Lu, D. Chen, F. F. Ren, R. Zhang, Y. D. Zheng, and R. Wang, “Analysis of dark count mechanisms of 4H-SiC ultraviolet avalanche photodiodes working in Geiger mode”, IEEE Transactions on Electron Devices 64(11): 4532-4539 (2017)

10.    X. L. Cai, C. F. Wu, H. Lu, Y. F. Chen, D. Zhou, F. Liu, S. Yang, D. J. Chen, F. F. Ren, R. Zhang, and Y. D. Zheng, “Single photon counting spatial uniformity of 4H-SiC APD characterized by SNOM-based mapping system”, IEEE Photonics Technology Letters 29(19): 1603-1606 (2017)