2022年，第三届“中国半导体十大研究进展”评选活动共有55项成果获得候选推荐资格。2023年1月，由248位半导体领域专家组成的评选委员会经过严格评审，评选出10项优秀成果荣膺2022年度“中国半导体十大研究进展”；10项成果荣获2022年度“中国半导体十大研究进展”提名奖。

南京大学王欣然、李涛涛与东南大学王金兰、马亮团队的成果：提出了衬底表面台阶高度精确调控二维半导体层数的思想和“齐头并进”的全新生长机制，突破逐层生长的热力学限制，首次实现了厘米级均匀的双层MoS₂外延生长，刷新了二维半导体器件开态电流的纪录，并满足2028年国际器件与系统路线图的技术指标入选2022年度“中国半导体十大研究进展”。